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互补场效应晶体管（CFET）晶体管结构采用晶体管垂直堆叠结构，能够缓解关断状态下的漏电和晶体管阈值随栅长变化带来的问题，也使得晶体管能够在更小的空间内实现更佳的性能。下面来介绍CFET的技术进展以及未来的机遇与挑战。 在刚刚落下帷幕的2023年IEEE国际电子器件会议（IEDM2023）上，台积电、三星和英特尔各自秀出了在下一代晶体管结构领域的尖端技术。图中这款被称为“互补场效应晶体管（CFET）”的晶体管结构，被视为1nm以下制程的关键要素，是继FinFET和GAA之后的新一代的晶体管技术。