互补场效应晶体管（CFET）晶体管结构采用晶体管垂直堆叠结构，能够缓解关断状态下的漏电和晶体管阈值随栅长变化带来的问题，也使得晶体管能够在更小的空间内实现更佳的性能。下面来介绍CFET的技术进展以及未来的机遇与挑战。 在刚刚落下帷幕的2023年IEEE国际电子器件会议（IEDM2023）上，台积电、三星和英特尔各自秀出了在下一代晶体管结构领域的尖端技术。图中这款被称为“互补场效应晶体管（CFET）”的晶体管结构，被视为1nm以下制程的关键要素，是继FinFET和GAA之后的新一代的晶体管技术。它的出现，将为半导体行业带来哪些不一样的图景？

CFET示意图（图片来源：imec）

CFET将开启三维晶体管结构新纪元？

据了解，CFET与此前晶体管结构的最大不同之处，在于采用晶体管垂直堆叠结构，这或将开启三维晶体管结构新纪元。

在FinFET和GAA架构出现以前，芯片晶体管结构采用的是平面MOSFET，这种结构可以通过等比例缩小器件尺寸来提高器件性能，增大芯片上器件数量。但是，当沟道长度小于一定值时，栅极对于沟道的控制能力会下降，出现短沟道效应。为了解决这个问题，业界提出了FinFET和GAA两种新型晶体管结构。前者通过将沟道向上延展形成立体结构，后者采用栅极环绕沟道的结构，来缓解关断状态下的漏电和晶体管阈值随栅长变化带来的问题，也使得晶体管能够在更小的空间内实现更佳的性能。

然而，由于晶体管结构从平面转换到了立体结构，难以继续通过等比例缩小晶体管尺寸来增加芯片上器件密度。随着摩尔定律的不断发展，芯片制程也愈发接近物理极限，为了能够进一步增加单位面积上的器件数量，业内开始尝试将原本的立体结构晶体管再进行堆叠，提出了采用垂直堆叠结构的CFET。

台积电最新资料显示，采用CFET垂直堆叠架构的芯片，相较采用Nanosheet（GAA）架构的器件，面积最多能缩小50%。

采用CFET架构的器件面积最多能够缩小50%（图片来源：台积电）

三大家集体公布CFET相关技术进展

基于此，先进制程的三大头部玩家台积电、三星、英特尔都在密切关注CFET相关技术。

台积电指出，CFET晶体管现已在台积电实验室中进行性能、效率和密度测试，并已经实现了48nm的栅极间距。此外，台积电还介绍了在CFET晶体管方面独特的设计和制造方法：在顶部和底部器件之间形成介电层以保持它们的隔离，这种设计可以减少漏电和功耗。为了进一步实现更好的性能和更高的集成度，台积电在其CFET晶体管工艺中，尝试将纳米片中硅和硅锗的交替层进一步隔离。例如，台积电通过特定的蚀刻方法去除纳米片中的硅锗材料，从而释放硅纳米线。为了能将纳米片中硅和硅锗的交替层进一步隔离，台积电使用了锗含量异常高的硅锗。这种材料比其他SiGe层蚀刻得更快，因此可以在释放硅纳米线之前构建隔离层。

台积电在最新的架构迭代介绍中加上了CFET结构（图片来源：台积电）

三星将CFET晶体管结构称为3DSFET，目前的栅极间距为45/48nm。在技术创新方面，三星实现了对堆叠式pFET（P沟道场效应管）和nFET（n沟道场效应管）器件的源极和漏极进行有效的电气隔离。这种隔离可以有效地减少漏电流，提高器件性能和可靠性。此外，三星还通过将湿化学物质的刻蚀步骤替换为新型干法刻蚀，以此让芯片中CFET器件的良率显著提升。

英特尔展示了将CFET晶体管结构与背面供电技术相结合的新技术，并利用该技术实现了60nm的栅极间距。英特尔表示，此次在CFET方面的创新之处，在于将PMOS（P型金属氧化物半导体）和NMOS（N型金属氧化物半导体）结合在了一起， 亿配芯城 使得开关速度和驱动能力具有互补性，从而提升了晶体管的整体性能。将PMOS和NMOS与其PowerVia背面供电器件触点相结合，以此更好地控制电流的流动，提高电源效率。

英特尔CFET示意图（图片来源：英特尔）

虽然，三家均未透露将在具体哪个制程节点中采用该晶体管结构，但公开资料显示，台积电或将在其2032年量产的A5工艺中，采用CFET架构。

台积电或将在其2032年量产的A5工艺中采用CFET架构（图片来源：imec）

平衡成本和性能问题是关键

CFET结构“初露端倪”，让业界看到了晶体管结构新的发展前景。然而，业内专家预估，CFET结构需要7～10年才能投入商用。

为何不能短时间内在现有的芯片制程中采用三维晶体管结构？目前CFET制程需要解决多层堆叠带来的大量的技术挑战。

目前，CFET拟采用的工艺路径是一次外延生长PFET和NFET两种器件的多层结构，再分别在两种外延层上制造FET。这大幅增加了器件制造的工艺复杂度，过去在FinFET和GAA中行之有效的工艺方法大部分不再适用。以FET源漏模块为例，不能再采用离子注入工艺对源漏进行掺杂，需要用杂质在线外延的办法把掺杂元素带到源漏区附近，再扩散达成掺杂。这些改变，需要从头开发新工艺，并逐渐使之成熟。类似的改变还有很多，需要大量和长周期的工艺研发，才能解决存在的全部技术挑战。

在CFET所需要的新工艺中，多层堆叠热退火问题是CFET面临的最大挑战之一。据了解，半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。通过热退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，去除大部分缺陷和杂质，恢复晶格完整，提高电导率和电学性能。

半导体热退火需要在1050℃的高温下进行，在进行热退火操作后，还需要在芯片内部用铜和铝等金属进行互联。在以往的非堆叠晶体管结构中，仅进行一次热退火即可，而在堆叠结构中，每堆叠一层就要再多进行一次热退火。此外，芯片内部的很多金属互联材料难以在1050℃的高温中保持稳定。这也导致在第二层晶体管结构中，无法采用传统方式来进行整体的热退火，需要采用激光进行局部退火从而效避开金属连接处。而采用激光退火不仅会增加工艺难度，还会因设备成本高而提升整体芯片制造成本。

“这就好比，原本用毛笔写的字，现在要用签字笔来写。字的大小没变，但需要用签字笔一点点地描绘。因此，采用CFET结构的芯片，需要先解决用激光进行热退火带来的成本问题，才能加快商用的步伐。” END 转载内容仅代表作者观点 不代表中国科学院半导体所立场

审核编辑：黄飞

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