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标题:Infineon品牌IKU06N60R半导体IGBT:12A,600V,N-CHANNEL的技术与方案介绍 Infineon的IKU06N60R半导体IGBT,以其出色的性能和可靠性,在电力电子领域中占据重要地位。这款产品具有12A,600V的规格,适用于各种需要高效且可靠电能转换的场合。其N-CHANNEL设计,使得其在高温和高电压条件下仍能保持良好的性能。 技术特点: 1. 高效能:IKU06N60R的开关速度非常快,这使得它能以较高的效率进行电能转换。 2. 可靠性高:其耐用性设计
随着电力电子技术的不断发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在各种电力电子应用中发挥着越来越重要的作用。Infineon英飞凌的DF80R12W2H3B11BOMA1模块IGBT MODULE便是其中的佼佼者。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 1. 型号规格:DF80R12W2H3B11BOMA1模块是一款适用于交流/直流转换器的IGBT模块,其额定电压为800V,额定电流为120A。该模块采用MBD(微型基板)技术,具有高集成度、高可靠性和高效率
标题:Infineon(IR) IKZA40N120CS7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA40N120CS7XKSA1功率半导体器件,以其卓越的性能和可靠性,成为了工业14领域中的重要一员。 IKZA40N120CS7XKSA1是一款高性能的功率MOSFET,其工作频率高,开关速度快,且具有较高的输入阻抗,使得其在各种严酷的工作环境下仍能保持良好的性能。这款器件采用了
标题:Infineon品牌IKU04N60R半导体IGBT:8A,600V,N-CHANNEL的技术与方案介绍 Infineon的IKU04N60R半导体IGBT是一款高性能的N-CHANNEL半导体器件,具有8A的额定电流和600V的额定电压。它以其卓越的性能和出色的可靠性在许多领域得到广泛应用。 技术特点: 1. IKU04N60R具有低导通电阻(RDS(on)),使得其工作温度更低,更高效。 2. 其栅极驱动电压低,使得电路设计更简单,同时增强了系统的稳定性。 3. 它具有优异的瞬态应力
标题:Infineon(IR) IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体:技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在工业、交通、能源等领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)的IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了业界的焦点。本文将深入探讨Infineon(IR)IKZA75N65EH7XKSA1功率半导体的技术特点和方案应用。 首先,让我们关注IKZA75N65EH7XKSA1的技术特点。这款功率半导体采用了先进的沟槽N-MOS技
标题:Infineon品牌AUIRGDC0250AKMA1半导体IGBT 1200V 141A 543W SUPER220技术解析与方案介绍 一、技术解析 AUIRGDC0250AKMA1是一款高性能的Infineon品牌半导体IGBT,其工作电压为1200V,最大电流为141A,功率输出为543W。该器件采用了最新的SUPER220技术,具有更高的开关速度、更低的功耗和更少的热损耗,适用于各种工业和商业应用场景。 二、方案介绍 该器件的应用范围广泛,可用于各种需要大功率、高效率转换的场合。例
Infineon英飞凌FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD 4500V 1600A 9000W参数及应用方案 随着科技的不断进步,电子设备对功率器件的需求也越来越高。英飞凌科技股份公司(Infineon)的FZ800R45KL3B5NOSA2模块IGBT MOD正是这一领域的佼佼者。该模块采用先进的IGBT技术,具有4500V的高压和高达1600A的电流容量,能够提供高达9000W的功率输出,适用于各种高功率电子设备。 一、参数详解 1. 电压:4500V FZ800R45
标题:Infineon(IR) IKZA40N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。作为全球领先的半导体公司之一,Infineon(IR)公司推出的IKZA40N120CH7XKSA1功率半导体器件,以其卓越的性能和稳定性,受到了广大用户的青睐。 IKZA40N120CH7XKSA1是一款高性能的功率MOSFET器件,其工作电压范围广,能够在-40至175摄氏度的温度范围内保持良好的性能。此外,
标题:Infineon品牌IKY50N120CH3XKSA1半导体IGBT 1200V 100A TO247-4的技术与方案介绍 Infineon品牌IKY50N120CH3XKSA1半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的核心元件,其规格为1200V、100A TO247-4。这款器件的特点是性能优异,体积小,效率高,能够满足不同行业的高压大功率需求。 技术特点: 1. 驱动特性好:具有较低的导通电阻,且开通和关断所需驱动电压小,有助于提高系统效率。 2. 耐压高:能承受较大浪涌电流和反向电
Infineon品牌ESD5V0S1U02VH6327XTSA1静电保护ESD芯片TVS二极管的应用介绍 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1是一款Infineon品牌的静电保护芯片,采用TVS技术,具有出色的静电防护性能。它是一款低电容、高吸收电流的静电保护器件,适用于各种电子设备的电源电路中。 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1采用ESD5VWM规格,能够承受高达14.5VC的静电放电冲击。该芯片还具有优异的反向电压和漏电流特性,确保在瞬态电压波动时能够迅速导通,有效吸收